Micro品牌1.5KE47A-TP二三极管TVS二极管DIODE 40.2VWM 64.8VC DO201AE的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE47A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有DIODE的特性，适用于各种电子设备的保护应用。该器件的额定电压为40.2VWM，峰值脉冲电流达到64.8VC，具有快速瞬态抑制能力。其DO201AE封装形式使得该器件在各种环境条件下都具有出色的可靠性和可操作性。 该器件的技术特点包括高吸收能容量、钳位电压可调、瞬态抑制能力强、响应速
标题：R1207N823C-TR-FE Nisshinbo Micro日清纺微IC与TSOT23-6芯片的BOOST ADJ技术应用介绍 随着科技的飞速发展，电子设备的功能日益丰富，性能也日益强大。在这个过程中，微芯片技术起到了至关重要的作用。今天，我们将详细介绍一款具有BOOST ADJ功能的IC——R1207N823C-TR-FE，以及与之配合使用的TSOT23-6芯片。这两款芯片都来自业界知名的Nisshinbo Micro日清纺微IC。 R1207N823C-TR-FE是一款高性能的B
标题：Nisshinbo Micro R1207N823A-TR-FE微IC及其技术方案应用介绍 随着电子科技的快速发展，微控制器芯片在各种设备中的应用越来越广泛。R1207N823A-TR-FE是日本Nisshinbo Micro公司的一款高性能微IC，其REG BOOST ADJ技术使得其在各类设备中表现出色。本文将深入探讨R1207N823A-TR-FE的技术特性和方案应用。 R1207N823A-TR-FE的主要技术特性包括BOOST架构、700mA的大电流输出和TSOT23-6芯片封
Micro品牌1.5KE7.5A-TP二三极管TVS二极管DIODE 6.4VWM 11.3VC DO201AE的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE7.5A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DO201AE封装，具有多种技术参数和应用方案。 首先，该二极管具有6.4V的电压规格，适用于各种电子设备的保护应用。其7.5A的额定电流可满足大多数电路的保护需求。此外，它还具有低电容、高吸收能力的特点，可以有效地防止静电、电磁干扰等有害电压对电路的破坏。 其次，该二极管的浪涌保护